中压MOS
中压MOSFET采用的是飞兆微沟槽和平面工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1，更低的栅极电荷量,
2，更低的反向传输电容
3，更快的开关速度
4，更高的dv/dt能力
超结MOS
高压功率MOSFET采用飞兆微超结MOS技术平台制造，具有很低的导通损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。同时采用领先的单层外延工艺技术，为系统应用提供更加充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。
1，极高的功率转换效率
2，极低的导通功率损耗
3，极低的开关功率损耗和驱动功率损耗
4，提供极具全面的封装分类如TO200,DFN,TO252等
5，足够的耐压余量和载电流能力
| Part_Number | Package | Configuration | Type | ESD_Diode | Vds(V) | Vgs(±V) | Vth(V) | Rds(on)mΩ max2.5V | Rds(on)mΩ max4.5V | Rds(on)mΩ max10V | ID(A) | 说明书 |
|---|
技术优势
