DFN85X6_深圳市飞兆微电子

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中压MOS

DFN85X6

　　中压MOS

　　中压MOSFET采用的是飞兆微沟槽和平面工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

　　1，更低的栅极电荷量,

　　2，更低的反向传输电容

　　3，更快的开关速度

　　4，更高的dv/dt能力

Part_Number	Package	Configuration	Type	ESD_Diode	Vds(V)	Vgs(±V)	Vth(V)	Rds(on)mΩ max2.5V	Rds(on)mΩ max4.5V	Rds(on)mΩ max10V	ID(A)
FQA1101N	DFN8(5X6)	Single	N	NO	100	20	2	0	12	10	63
FQA1102N	DFN8(5X6)	Single	N	NO	100	20	2	0	22	18	30
FQA1105	DFN8(5X6)	Single	N	NO	100	20	1	0	6	5	100
FQA1152N	DFN8(5X6)	Single	N	NO	150	20	2	0	24	20	35
FQA1202	DFN8(5X6)	Single	N	NO	20	12	1	2	2	0	150
FQA1204N	DFN8(5X6)	Single	N	NO	200	20	2	0	65	54	25
FQA1254N	DFN8(5X6)	Single	N	NO	250	20	3	0	50	42	35
FQA1301	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	1	0	2	2	180
FQA1302	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	2	0	3	2	160
FQA1302A	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	1	0	3	2	150
FQA1302S	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	2	0	4	2	140
FQA1303	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	2	0	5	3	120
FQA1308	DFN8(5X6)	Single	N	NO	30	20	1	0	9	7	80
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FQA1402	DFN8(5X6)	Single	N	NO	40	20	1	0	2	2	123
FQA1405	DFN8(5X6)	Single	N	NO	40	20	2	0	6	5	75
FQA1603	DFN8(5X6)	Single	N	NO	60	20	2	0	4	3	100
FQA1606	DFN8(5X6)	Single	N	NO	60	20	4	0	0	6	90
FQA1615	DFN8(5X6)	Single	N	NO	60	20	2	0	18	15	30
FQA1638	DFN8(5X6)	Single	N	NO	60	20	1	0	28	24	45
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FQA2104N	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-100	20	-1	0	50	42	-28
FQA2303	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-30	20	-1	0	3	3	-100
FQA2305	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-30	20	-2	0	6	4	-120
FQA2309	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-30	20	-2	0	9	8	-60
FQA2311	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-30	20	-1	0	13	11	-30
FQA2412	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-40	20	-1	0	14	12	-38
FQA2625	DFN8(5X6)	Single	P	NO	-60	20	-1	0	30	25	-27
FQA3316	DFN8(5X6)	Dual	N	NO	30	20	1	0	22	18	14
FQA3638	DFN8(5X6)	Dual	N	NO	60	20	1	0	37	31	17
FQA4317	DFN8(5X6)	Dual	P	NO	-30	20	-1	0	18	16	9
FQA5325	DFN8(5X6)	Dual	N+P	NO	0	20	0	0	36	30	0
FQA1401	DFN8(5X6)	Single	N	NO	40	20	2	0	0	1	100