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中压MOS

SOT23

　　中压MOS

　　中压MOSFET采用的是飞兆微沟槽和平面工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

　　1，更低的栅极电荷量,

　　2，更低的反向传输电容

　　3，更快的开关速度

　　4，更高的dv/dt能力

Part_Number	Package	Configuration	Type	ESD_Diode	Vds(V)	Vgs(±V)	Vth(V)	Rds(on)mΩ max2.5V	Rds(on)mΩ max4.5V	Rds(on)mΩ max10V	ID(A)
FB1210	SOT23	Single	N	No	20	20	2	0	10	9	12
FB1240	SOT23	Single	N	No	20	8	0	33	24	0	6
FB1240B	SOT23	Single	N	No	20	20	1	25	20	0	6
FB1307N	SOT23	Single	N	No	30	20	1	0	62	47	5
FB1330	SOT23	Single	N	No	30	20	1	0	33	30	7
FB1435	SOT23	Single	N	No	40	20	1	0	40	35	5
FBB2355	SOT23-3L	Single	P	No	-30	20	-1	0	75	60	-5
FB162K	SOT23	Single	N	No	60	20	2	0	3000	2800	0
FB1695	SOT23	Single	N	No	60	20	1	0	96	85	4
FB1101M	SOT23	Single	N	No	100	20	1	0	150	120	4
FB1102M	SOT23	Single	N	No	100	20	2	0	260	246	2
FB1106K	SOT23	Single	N	No	100	20	1	0	3000	2800	0
FB1201K	SOT23	Single	N	No	200	20	1	0	1440	1200	1
FB165R01	SOT23	Single	N	No	650	30	1	0	0	8400	1
FB2212N	SOT23	Single	P	No	-20	12	-1	120	88	71	-4
FB2290	SOT23	Single	P	No	-20	12	-1	83	57	0	-4
VB2240	SOT23	Single	P	No	-20	12	-1	38	32	29	-5
FB2290A	SOT23	Single	P	No	-20	20	-1	89	60	47	-4
FB2355	SOT23	Single	P	No	-30	20	-1	0	56	47	-6
FB2470	SOT23	Single	P	No	-40	20	-2	0	110	83	-4
FB2610N	SOT23	Single	P	No	-60	20	-2	85	70	0	-5
FB264K	SOT23	Single	P	No	-60	20	-2	0	3680	3000	-1
FB2658	SOT23	Single	P	No	-60	20	-2	0	48	40	-5
FB2101K	SOT23	Single	P	No	-100	20	-3	0	56	50	-2
FB2103K	SOT23	Single	P	No	-100	20	-3	0	3600	3000	0
FB2201K	SOT23	Single	P	No	-200	20	-2	0	1100	1000	-1
FBB1328	SOT23-3L	Single	N	No	30	20	1	0	22	16	7
FBB1630	SOT23-3L	Single	N	No	60	20	1	0	36	30	6