中压MOS
中压MOSFET采用的是飞兆微沟槽和平面工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品实现了功率密度最大化,从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
1,更低的栅极电荷量,
2,更低的反向传输电容
3,更快的开关速度
4,更高的dv/dt能力