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覆盖成熟存储技术路线,已完成未来新型存储器多点布局

TO252

中压MOSFET采用的是飞兆微沟槽和平面工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品实现了功率密度最大化,从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

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TO252
TO220
TO263
DFN85X6
SOP8
SOT23
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